Ngày 15/09/2023 Đại học Quốc gia Hà Nội (ĐHQGHN) có công văn số 3398/ĐHQGHN-ĐT thông báo về chương trình “Trao đổi sinh viên tại Đại học Sciences Po, Cộng hoà Pháp”. Thông tin chi tiết về chương trình như sau: …
Là 1 trong 20 thanh niên tiêu biểu tham gia Hội nghị Nghị sĩ trẻ toàn cầu lần thứ 9, TS Chu Đức Hà (Trường ĐH Công nghệ, ĐH Quốc gia Hà Nội) chia sẻ có rất nhiều cảm xúc …
(Dân trí) – Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội đẩy mạnh liên kết với các doanh nghiệp công nghệ hàng đầu nhằm nâng cao nguồn nhân lực chất lượng cao và tăng cơ hội …
Căn cứ Nghị định số 81/2021/NĐ-CP ngày 27/08/2021 Quy định về cơ chế thu, quản lý học phí đối với cơ sở giáo dục thuộc hệ thống giáo dục quốc dân và chính sách miễn, giảm học phí, hỗ trợ …
Thực hiện Công văn của Đại học Quốc gia Hà Nội, thông báo về chương trình học bổng Yamada, Nhật Bản, năm học 2023-2024 và căn cứ biên bản họp ngày 14/9/2023 của Hội đồng Thi đua Khen thưởng – …
Căn cứ Quyết định số 3568/QĐ-ĐHQGHN ngày 08 tháng 10 năm 2014 của Giám đốc Đại học Quốc gia Hà Nội, quy định về tổ chức và hoạt động của các đơn vị thành viên và đơn vị trực thuộc …
Để thực hiện tốt kế hoạch nhiệm vụ năm học 2023-2024, chấn chỉnh và từng bước siết chặt nền nếp, kỷ cương học đường, Nhà trường yêu cầu các đơn vị, toàn thể cán bộ, giảng viên, giảng viên kiêm …
Ngày 13/9/2023, Trường Đại học Công nghệ nhận được công văn của Đại học Quốc gia Hà Nội, thông báo về Chương trình học bổng của Quỹ học bổng Mitsubishi, UFJ (gọi tắt là học bổng Mitsubishi, Nhật Bản) năm …
Chuẩn đầu ra tiếng Anh là một trong những điều kiện bắt buộc sinh viên (SV) phải đạt được để đủ điều kiện tốt nghiệp. Thống kê đến hết tháng 8/2023, số lượng SV trong Trường chưa đạt điều kiện …
Tên đề tài luận án chính thức: Nghiên cứu chế tạo hạt nano Ag, Au và nanocomposite Au/TiO2 bằng phương pháp tương tác plasma – chất lỏng và khảo sát một số tính chất của chúng. 1. Họ và tên nghiên …
Tên đề tài luận án: Nghiên cứu khả năng điều khiển từ tính bằng ứng suất trong các hệ vật liệu multiferroics cấu trúc micro – nano dạng lớp dựa trên băng từ FeCSi và màng mỏng từ NiFe 1. Họ …